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半導(dǎo)體超純水設(shè)備在半導(dǎo)體生產(chǎn)中主要用于清洗硅片。少量水用于配制藥劑、硅片氧化的蒸汽源、某些設(shè)備的冷卻水、電鍍?nèi)芤旱呐渲啤．a(chǎn)品的質(zhì)量與產(chǎn)量密切相關(guān)。水中的堿金屬(K、Na等)會(huì)使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會(huì)降低PN結(jié)的耐壓力，III族元素 (B、Al、Ga等)會(huì)使N型半導(dǎo)體特性惡化，V族素(P、As、Sb等)會(huì)使P型半導(dǎo)體特性惡化。細(xì)菌高溫炭化水中的磷(約為灰分的20%~50%)會(huì)使p型硅片局部變?yōu)镹型硅片，導(dǎo)致器件性能下降。水中的顆粒，包括細(xì)菌，如果附著在硅片表面，會(huì)導(dǎo)致短路或性能惡化。可見(jiàn)，超純水在半導(dǎo)體行業(yè)的必要性。

　　隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，對(duì)清潔水的電導(dǎo)率、離子含量、TOC、do和顆粒物的要求越來(lái)越嚴(yán)格。由于超純水在許多指標(biāo)上對(duì)半導(dǎo)體的要求很高，因此半導(dǎo)體行業(yè)的超純水與其他行業(yè)的用水要求不同。半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)超純水有嚴(yán)格的水質(zhì)要求。目前，半導(dǎo)體所用的超純水需要達(dá)到的水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)為：我國(guó)電子工業(yè)部電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級(jí)標(biāo)準(zhǔn))，我國(guó)電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標(biāo)準(zhǔn)，國(guó)內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)等。

產(chǎn)品介紹：

Onyx的EX-UPW-TOC產(chǎn)品主要由高透185nm的紫外燈管，高輸出石英套管，內(nèi)外電解拋光的一體化紫外反應(yīng)器，高度精確的UV強(qiáng)度傳感器及智能自控系統(tǒng)組成。

185nmUV主要用于生產(chǎn)超純水過(guò)程中去除TOC有機(jī)物，降低TOC出水指標(biāo)，使出水滿足美國(guó)ASTM超純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)及電子工業(yè)部電子級(jí)水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。

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電子級(jí)水UV-TOC控制系統(tǒng)

半導(dǎo)體超純水設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格：

處理水量	2~60m3/h
燈管配置	12~48支
燈管類型	85w/155w(185/254nm雙波段)
石英套管	T＞80%@185nm
鎮(zhèn)流器	50~100%輸出功率可調(diào)
反應(yīng)器材質(zhì)	316L
潔凈等級(jí)	內(nèi)外電解拋光、表面光潔度10以上（≤Ra0.2）
法蘭尺寸	DN50~DN200
額定壓力	PN10
控制柜等級(jí)	IP55，碳鋼噴塑
控制系統(tǒng)	本地/遠(yuǎn)程、觸摸屏、連接SCADA系統(tǒng)
UV強(qiáng)度傳感器	分辨率0.01mw/cm2